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可控硅擊穿
來源:
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作者:prof62b82
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發布時間: 2163天前
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可控硅擊穿現象
1.可控硅所通過的電流過大，而引起熔絲熔斷或可控硅炸開，阻抗呈現大。電流過大有：A/負荷過大；B/負載側碰殼短路；C/輸出相與相短路。
2.可控硅所承受的電壓過高，其薄弱的地方是其觸發組，因電壓過高使得SCR觸發角被損壞，阻抗呈導通現象。電壓過高有：A/系統電壓波動較大，有連續較高的峰值；B/負載側反饋回電壓沖擊；C/控制器的電源電壓規格不符。
3.SCR控制變壓器(TF)，一次側加裝1組假負載（電阻），否則SCR模塊可能可能常常擊穿。原因：當二次側負載（加熱體）斷路時，會瞬間產生高壓，而感應到一次側，高電壓則沖擊到SCR模塊觸發角而導致短路之現象。
4.可控硅底板溫度超過80度，散熱不良導致可控硅擊穿！
2.可控硅所承受的電壓過高，其薄弱的地方是其觸發組，因電壓過高使得SCR觸發角被損壞，阻抗呈導通現象。電壓過高有：A/系統電壓波動較大，有連續較高的峰值；B/負載側反饋回電壓沖擊；C/控制器的電源電壓規格不符。
3.SCR控制變壓器(TF)，一次側加裝1組假負載（電阻），否則SCR模塊可能可能常常擊穿。原因：當二次側負載（加熱體）斷路時，會瞬間產生高壓，而感應到一次側，高電壓則沖擊到SCR模塊觸發角而導致短路之現象。
4.可控硅底板溫度超過80度，散熱不良導致可控硅擊穿！
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